電子線描画装置

■電子銃：電界放出型（TFT型）
■加速電圧：50kV
■ビーム電流値：100pA~100nA
■最小電子ビーム径：φ2.0nm
■最小描画線幅：10nm
■描画フィールドサイズ：□100µm、□250µm、□500µm、□1000µm、□1500µm
■最小ビーム位置決め分解能：0.1nm/dot（□100µmフィールド使用時）
■フィールドつなぎ精度：±15nm（□100µmフィールド使用時）
■重ね合わせ精度：±20nm（□100µmフィールド使用時）
■描画エリア：最大8インチ
■試料室真空度：4×10^-4 Pa以下
■試料ステージ（3種類）：
・φ2”~φ8”ウェハ（厚さ：0.25-0.78mmt）×1枚用、
・□2.5”~□7”マスク（2506,3006,4006-4009,5006-5018,6009-6015,6025,7009-7015）×1枚用、
・□10mm~□50mm小片基板（厚さ：0.5-1.5mmt）×4枚用
■CADデータ形式：DXFまたはGDS 2
■SEM観察倍率：×80倍~×500,000倍

■研究開発や少量試作においてスループットが向上します。
■重ね合せアライメント（オートマーク検出）機能、グレースケール描画機能も利用可能です。
■電子顕微鏡機能が備わっており、現像後試料のSEM観察・撮影や、パターン形状の測長評価も可能です。
■設備はクリーンルーム内にあります。
■オーダーメード型技術支援対象機器です。
・https://www.iri-tokyo.jp/site/shiken/order-made-shien.html
■利用事例
・各種微細な構造のパターニング：フォトマスク、ナノインプリント用モールド、光学回折格子、プラズモンデバイス、メタサーフェス、メタレンズ、フレネルレンズ、光アンテナ、テラヘルツデバイス、フォトニック結晶、フォトニック光導波路、モスアイ構造、構造色、撥水（親水）機能性表面構造、マイクロ流路、ナノピラー、ナノホール等
・レジスト開発品の描画テスト
・FE-SEM写真の高精度繫なぎ合わせ撮影
・/uploaded/attachment/10882.pdf（※旧型装置の紹介）
・/uploaded/attachment/16242.pdf
・/uploaded/attachment/3782.pdf
・/uploaded/attachment/2032.pdf

【MEMS関連設備】
以下のウェブページに記載の関連設備をご参照ください。
/site/electronics/mems.html/